宽禁带半导体材料及功率半导体器件测试方案

1.概述：

宽禁带材料是指禁带宽度大于2.3eV 的半导体材料，以III-V族材料等最为常见，典型代表有碳化硅 (SiC) 和氮化镓(GaN)，这些半导体材料也称为第三代半导体材料。

宽禁带半导体材料适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件，正在成为固态光源和电力电子、微波射频器件的重要材料，在半导体照明、新一代移动通信、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域具有广阔的应用前景。

近年来，禁带宽度大于 3.4eV的超宽禁带材料的关注度也越来越高，这些材料包括AIGaN/AIN、金刚石、氮化硼(BN)等功率半导体器件又被称为电力电子器件，是电力电子技术的基础，也是构成电力电子变换装置的核心器件。自上个世纪 50 年代功率二极管被发明以来，功率器件家族不断发展，晶闸管、功率三极管、MOSFET、IGBT 等功率器件逐步面世，未来高频控制、低损耗的高性能全控型器件 MOSFET、IGBT 以及第三代半导体功率器件将成为市场发展的重心。

2.测试方案：

2.1中功率方案:

• 4200A-SCS+SMU+PA；
• 可选 CVU+CVIV 及PMU+RPM
• 第三方磁场设备及探针台

2.2高功率方案：

• 静态测试：2600-PCT；可选：200V/10A低压基本配置、200V/50A高流配置、3000V/10A高压配置、3000V/50A高压高流等配置
• 动态测试：AFG31252+MSO6B+探头(TIVP，TPP1000/TPP0850，TCP0030A，THDP0200)

功率器件动态特性测试设备 DPT100A

  3.优势： 

 1.全面的静态/动态测试方案；

2.高压3kV，高流100A高精度源表；

3.SMU模块集电压源/电压表/电流源/电流表于一体，集成度高，方便使用；

4.SMU均配有开尔文接口，在测试小电阻时可有效消除线缆电阻的影响；

5.4200A设备电流输出精度40fA；电流测试精度10fA；电压测试精度80μV；

6.带有pulse工作模式，使用pulse测试可以消除自加热效应；

7.开放设备底层指令，附带编译软件，支持自编程；

8.提供高压高流测试夹具，保证测试安全。