宽禁带半导体材料及功率半导体器件测试方案
创建时间:2024-06-20 16:11
1.概述:
宽禁带材料是指禁带宽度大于2.3eV 的半导体材料,以III-V族材料等最为常见,典型代表有碳化硅 (SiC) 和氮化镓(GaN),这些半导体材料也称为第三代半导体材料。
宽禁带半导体材料适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件,正在成为固态光源和电力电子、微波射频器件的重要材料,在半导体照明、新一代移动通信、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域具有广阔的应用前景。
近年来,禁带宽度大于 3.4eV的超宽禁带材料的关注度也越来越高,这些材料包括AIGaN/AIN、金刚石、氮化硼(BN)等功率半导体器件又被称为电力电子器件,是电力电子技术的基础,也是构成电力电子变换装置的核心器件。自上个世纪 50 年代功率二极管被发明以来,功率器件家族不断发展,晶闸管、功率三极管、MOSFET、IGBT 等功率器件逐步面世,未来高频控制、低损耗的高性能全控型器件 MOSFET、IGBT 以及第三代半导体功率器件将成为市场发展的重心。
2.测试方案:
2.1中功率方案:
- 4200A-SCS+SMU+PA;
- 可选 CVU+CVIV 及PMU+RPM
- 第三方磁场设备及探针台
2.2高功率方案:
- 静态测试:2600-PCT;可选:200V/10A低压基本配置、200V/50A高流配置、3000V/10A高压配置、3000V/50A高压高流等配置
- 动态测试:AFG31252+MSO6B+探头(TIVP,TPP1000/TPP0850,TCP0030A,THDP0200)
功率器件动态特性测试设备 DPT100A
3.优势:
1.全面的静态/动态测试方案;
2.高压3kV,高流100A高精度源表;
3.SMU模块集电压源/电压表/电流源/电流表于一体,集成度高,方便使用;
4.SMU均配有开尔文接口,在测试小电阻时可有效消除线缆电阻的影响;
5.4200A设备电流输出精度40fA;电流测试精度10fA;电压测试精度80μV;
6.带有pulse工作模式,使用pulse测试可以消除自加热效应;
7.开放设备底层指令,附带编译软件,支持自编程;
8.提供高压高流测试夹具,保证测试安全。
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